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外部開關(guān)MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器
單路IGBT
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單端場效應(yīng)管
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單端場效應(yīng)管
場效應(yīng)管陣列
單端場效應(yīng)管
評(píng)估和演示板和套件
功率驅(qū)動(dòng)器模塊
單端場效應(yīng)管
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IR官網(wǎng)中文新聞?lì)l道：2025年6月13日IR國際整流器公司重要資訊、突發(fā)新聞
IR推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴(kuò)充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級(jí)的傳統(tǒng)電源模塊產(chǎn)品減少5%以上的功率損耗
IR推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣閘雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
IR推出車用大電流雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC AUIRB24427S，適合混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 、電動(dòng)車 (EV) 和大功率工業(yè)轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)電源 (SMPS) 應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出兩款40V車用COOLiRFET 功率MOSFET 產(chǎn)品——AUIRFN8459和AUIRFN8458
IR提供了一個(gè)廣泛的IGBT產(chǎn)品系列，電壓范圍300V至1200V，采用可以將開關(guān)和導(dǎo)通損耗最小化的多種技術(shù)來提高效率、減少散熱......
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